INA821 저전력, 계측 증폭기
INA821 저전력, 계측 증폭기
매개변수
| 채널 수(#) 1 | 1 |
| 대(최대)(V) 36 | 36 |
| 대(최소)(V) 4.5 | 4.5 |
| 입력 오프셋(+/-)(최대)(uV) 35 | 35 |
| 게인(최소)(V/V) 1 | 1 |
| 게인(최대)(V/V) 10000 | 10000 |
| 1kHz에서의 노이즈(일반)(nV/rt(Hz)) 7 | 7 |
| 슈퍼 베타, 소형, 과전압 보호 기능 | 슈퍼 베타, 소형, 과전압 보호 |
| CMRR(최소)(dB) | 136 |
| 입력 오프셋 드리프트(+/-)(최대)(uV/C) | 0.4 |
| 입력 바이어스 전류(+/-)(최대)(nA) | 0.5 |
| Iq(일반)(mA) | 0.6 |
| 최소 이득에서의 대역폭(일반)(MHz) | 4.7 |
| 게인 오차(+/-)(최대)(%) | 0.15 |
| 작동 온도 범위(C) | '-40 ~ 125 |
| 유형 | 저항기 |
| 출력 스윙 헤드룸(음극 공급)(일반)(V) | 0.15 |
| 출력 스윙 헤드룸(양의 전원으로)(일반)(V) | -0.15 |
| 입력 공통 모드 헤드룸(음극 전원으로)(Typ)(V) | 2 |
| 입력 공통 모드 헤드룸(양의 전원으로)(Typ)(V) | -2 |
| 0.1Hz~10Hz(일반)의 노이즈(uVpp) | 0.14 |
| 이득 비선형성(+/-)(최대)(%) | 0.0015 |
특징
낮은 오프셋 전압: 10µV(일반), 35µV(최대)
이득 드리프트: 5ppm/°C(G = 1),
35ppm/°C(G > 1)(최대)
노이즈: 7nV/√Hz
대역폭: 4.7MHz(G = 1), 290kHz(G = 100)
1nF 용량성 부하로 안정적
최대 ±40V까지 보호되는 입력
공통 모드 제거: 112dB, G = 10(최소)
전원 공급 거부: 110dB, G = 1(최소)
공급 전류: 650µA(최대)
공급 범위:
단일 전원: 4.5V ~ 36V
이중 전원: ±2.25V ~ ±18V
지정된 온도 범위: -40°C ~ +125°C
패키지: 8핀 SOIC, VSSOP 및 WSON
설명
INA821은 낮은 전력 소비를 제공하고 넓은 단일 전원 또는 이중 전원 범위에서 작동하는 고정밀 계측 증폭기입니다.단일 외부 저항은 1에서 10,000 사이의 이득을 설정합니다.이 장치는 낮은 입력 오프셋 전압, 오프셋 전압 드리프트, 입력 바이어스 전류, 입력 전압 및 전류 노이즈를 제공하는 슈퍼 베타 입력 트랜지스터의 결과로 높은 정밀도를 제공합니다.추가 회로는 최대 ±40V의 과전압으로부터 입력을 보호합니다.
INA821은 높은 공통 모드 제거율을 제공하도록 최적화되었습니다.G = 1에서 공통 모드 제거 비율은 전체 입력 공통 모드 범위에서 92dB를 초과합니다.이 장치는 4.5V 단일 전원 및 최대 ±18V의 이중 전원에서 저전압 작동을 위해 설계되었습니다.
INA821은 8핀 SOIC, VSSOP 및 WSON 패키지로 제공되며 -40°C ~ +125°C 온도 범위에서 지정됩니다.
1. R&D 부서의 직원은 누구입니까?당신의 자격은 무엇입니까?
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2. 귀하의 제품 연구 및 개발 아이디어는 무엇입니까?
- 제품 구상 및 선택 제품 개념 및 평가 제품 정의 및 프로젝트 계획 설계 및 개발 제품 테스트 및 검증 출시
